12 月 4 日新闻，据两家韩国姊妹媒体 hankyung、KED Global 近两日报道，SK 海力士将为定制 HBM4 内存导入更为进步的台积电 3nm 工艺基本裸片，以呼应英伟达等美国年夜型科技企业的需要。跟着 HBM 内存的演进，基本裸片（IT之家注：即 Base Die、Logic Die、Interface Die）承当的任务也愈发庞杂，到 HBM4 世代基本裸片将片面转向逻辑半导体工艺并支撑客户定制电路，以晋升 AI 半导体运转效力。SK 海力士的 HBM4 基本裸片将由台积电代工，此前台积电就已展现过 N12FFC+ 制程“性价比”款跟 N5 制程“高机能”款计划，而 3nm 版本无望进一步晋升 20%~30% 机能。▲ SK 海力士的 HBM 芯片，此面为底面即凑近基本裸片的名义据悉，SK 海力士的尺度款 HBM4 仍将采取 N12FFC+ 基本裸片，而定制产物则将今后前斟酌的 5nm 进级至 3nm。别的一方面，三星电子的 HBM4 基本裸片将导入 4nm 制程。SK 海力士此前曾表现将于 2025 下半年推出首批 HBM4 产物，三星电子的时光表也大抵相称。【起源：IT之家】 　　申明：新浪网独家稿件，未经受权制止转载。 -->